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更新(xin)时(shi)间: 2025-02-27
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产(chan)品(pin)简介: PECVD系(xi)统是(shi)借(jie)助(zhu)射(she)频(pin)使(shi)含有薄膜组成原子(zi)的气体电(dian)离(li),在(zai)局(ju)部(bu)形(xing)成等(deng)离(li)子体,而等离子体化学(xue)活性很(hen)强,很容(rong)易发生(sheng)反(fan)应,在(zai)基片(pian)上沉积(ji)出所(suo)期望(wang)的(de)薄(bao)膜(mo)。
产品(pin)应(ying)用(yong):二
PECVD系统(tong)是借(jie)助(zhu)射频(pin)使(shi)含有(you)薄(bao)膜(mo)组(zu)成原(yuan)子(zi)的(de)气体电(dian)离,在(zai)局部形(xing)成(cheng)等离子体,而等(deng)离子体(ti)化(hua)学(xue)活性(xing)很强,很(hen)容(rong)易发(fa)生反应(ying),在基(ji)片上沉积(ji)出所期望(wang)的薄膜(mo)。
产(chan)品(pin)组(zu)成(cheng):
PECVD系统(tong)配(pei)置(zhi):
1.1200度开(kai)启式双温区真(zhen)空(kong)管(guan)式炉(lu)
2.滑动系(xi)统(tong)分(fen)为(wei)手动(dong)、电动(dong)滑动,并配(pei)置管内测温系(xi)统。
3.预加(jia)热开启式管式电(dian)炉(lu)
4.等(deng)离子(zi)射(she)频(pin)电(dian)源
5.多(duo)路质(zhi)量(liang)流(liu)量(liang)控制(zhi)系(xi)统
6.真空系统(tong)(可(ke)选(xuan)配中(zhong)真空(kong)或高(gao)真空)
产(chan)品特点(dian):
生长温(wen)度低(di);沉(chen)积(ji)速(su)率(lv)快(kuai);成(cheng)膜质(zhi)量好(hao),适用范围(wei)广(guang),设(she)备简单。
天津中环电炉(lu)股份(fen)有限(xian)公司(si) 地址(zhi):天(tian)津(jin)市北(bei)辰(chen)区北(bei)辰(chen)科(ke)技(ji)园区双川(chuan)道(dao)11号(hao)
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