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1200℃滑动(dong)双温区(qu)PECVD系(xi)统(tong)时间：2025-02-27生产地(di)址：天(tian)津(jin)厂商(shang)性质：生产(chan)厂(chang)家浏览量：9846PECVD系统配置：1.1200度开启(qi)式(shi)双(shuang)温区真空(kong)管式炉(lu)2.等离子射(she)频电(dian)源3.多路(lu)质(zhi)量(liang)流量(liang)控(kong)制系(xi)统(tong)4.真空(kong)系(xi)统(tong)（可(ke)选配中真(zhen)空(kong)或(huo)高真(zhen)空(kong)）
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1200℃预(yu)加(jia)热滑动双温(wen)区PECVD系统(tong)时间(jian)：2025-02-27生(sheng)产(chan)地址(zhi)：天(tian)津(jin)厂商性(xing)质：生(sheng)产(chan)厂(chang)家(jia)浏览量(liang)：23347PECVD系统(tong)是借助射频使含有薄(bao)膜(mo)组成原(yuan)子的气体(ti)电离，在(zai)局部(bu)形成(cheng)等(deng)离(li)子(zi)体，而(er)等(deng)离(li)子体(ti)化(hua)学活(huo)性很强(qiang)，很容(rong)易(yi)发生反应，在(zai)基(ji)片上沉(chen)积(ji)出所(suo)期(qi)望的(de)薄膜(mo)。
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1200℃集(ji)成型(xing)自动小(xiao)型PECVD系(xi)统(tong)时间：2025-02-27生(sheng)产地(di)址：天津厂(chang)商(shang)性质(zhi)：生(sheng)产(chan)厂(chang)家(jia)浏览量：6805PECVD系统是(shi)借助(zhu)射频使含有薄(bao)膜组成原(yuan)子(zi)的气(qi)体(ti)电离，在局(ju)部(bu)形(xing)成等(deng)离(li)子体(ti)，而等(deng)离子(zi)体化(hua)学(xue)活性很(hen)强(qiang)，很容易发生(sheng)反(fan)应，在基(ji)片上沉积出(chu)所期望的(de)薄膜。集成(cheng)型PECVD系(xi)统PECVD-12IH-500A、1200℃小型PECVD系(xi)统(tong)PECVD-12IH-4Z/G
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1200度小(xiao)型(xing)PECVD系统时(shi)间：2025-02-27生产地址(zhi)：天(tian)津厂(chang)商性质：生(sheng)产(chan)厂(chang)家浏(liu)览(lan)量：8798
PECVD系统是借助(zhu)射频(pin)使含有(you)薄(bao)膜(mo)组(zu)成(cheng)原子的(de)气体(ti)电(dian)离，在(zai)局(ju)部(bu)形成等(deng)离子体(ti)，而(er)等(deng)离子体(ti)化学(xue)活性(xing)很强(qiang)，很容(rong)易发生(sheng)反(fan)应(ying)，在基(ji)片(pian)上沉(chen)积出所期(qi)望的(de)薄膜(mo)。集成型(xing)PECVD系(xi)统PECVD-12IH-500A、1200℃小型(xing)PECVD系统(tong)PECVD-12IH-4Z/G
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