CVD管式炉(lu)设备由沉(chen)积(ji)温(wen)度控件、沉积(ji)反应(ying)室(shi)、真空(kong)控(kong)制部(bu)件(jian)和气源控(kong)制备(bei)件(jian)等(deng)部分(fen)组(zu)成(cheng)亦(yi)可(ke)根(gen)据(ju)用户需要(yao)设(she)计(ji)生产(chan)，CVD系(xi)统(tong)除了主(zhu)要应用(yong)在碳纳米(mi)材(cai)料制备(bei)行(xing)业外，现(xian)在(zai)正在使(shi)用在(zai)许多行业(ye)，包括(kuo)纳(na)米(mi)电(dian)子学、半(ban)导(dao)体、光电工程(cheng)的研发(fa)、涂料等领域。

PECVD系统(tong)配置(zhi)：1.1200度(du)开启(qi)式(shi)双温区真空(kong)管(guan)式炉2.等离子射(she)频电源(yuan)3.多(duo)路(lu)质(zhi)量(liang)流(liu)量(liang)控(kong)制(zhi)系(xi)统4.真空(kong)系(xi)统（可(ke)选(xuan)配中真(zhen)空或高(gao)真空）

CVD管(guan)式(shi)炉设(she)备由(you)沉积温(wen)度(du)控(kong)件、沉积反应(ying)室、真空(kong)控(kong)制部(bu)件(jian)和气源控制(zhi)备(bei)件(jian)等部(bu)分组(zu)成亦(yi)可根(gen)据用(yong)户(hu)需要设计生(sheng)产，CVD系(xi)统除了主(zhu)要(yao)应(ying)用(yong)在(zai)碳纳米材(cai)料(liao)制备行(xing)业外，现在(zai)正在(zai)使用(yong)在许(xu)多行(xing)业(ye)，包(bao)括(kuo)纳(na)米电(dian)子学(xue)、半(ban)导(dao)体、光(guang)电(dian)工(gong)程的(de)研发、涂(tu)料(liao)等(deng)领(ling)域(yu)。

PECVD系(xi)统是借(jie)助射(she)频使含(han)有薄(bao)膜组(zu)成(cheng)原子(zi)的气体电离(li)，在局(ju)部形成等(deng)离子(zi)体(ti)，而(er)等(deng)离(li)子(zi)体化学活(huo)性(xing)很(hen)强(qiang)，很容易发(fa)生(sheng)反(fan)应(ying)，在基(ji)片上(shang)沉积出(chu)所(suo)期望(wang)的薄膜。

产(chan)品(pin)用途(tu)：此(ci)款CVD系统(tong)适用于(yu)CVD工(gong)艺，如碳化(hua)硅镀(du)膜(mo)、陶瓷基片(pian)导电(dian)率测试(shi)、ZnO纳米结(jie)构的(de)可控(kong)生长、陶瓷(ci)电容（MLCC）气氛烧结真空(kong)淬(cui)火退火(huo)，快(kuai)速(su)降温等工艺实验(yan)。