CVD管式(shi)炉(lu)的(de)构成(cheng)和(he)应(ying)用范围
更(geng)新(xin)时(shi)间(jian):2020-01-03 点击次(ci)数:9868
CVD管(guan)式炉广(guang)泛(fan)用(yong)于(yu):真(zhen)空镀(du)膜(mo)、纳米薄膜(mo)材料(liao)制(zhi)备、纳(na)米(mi)线生(sheng)长、电池(chi)材(cai)料(liao)干(gan)燥烧结等(deng)场(chang)所。该(gai)系统(tong)技(ji)术(shu)成熟、质量可(ke)靠(kao);设(she)备操作采(cai)用全(quan)数(shu)控(kong)触(chu)摸(mo)界面,丰富(fu)的图(tu)形界面(mian)提示(shi),使(shi)得(de)设(she)备的操作(zuo)异常简单、方(fang)便;设备的各(ge)项(xiang)技术(shu)参数更(geng)是(shi)一目了然(ran),设(she)备(bei)的运(yun)行状态尽在您(nin)的掌(zhang)控(kong)之中(zhong)。该系(xi)统是材料实验室(shi)*的理想设备之一。
采(cai)用(yong)双层壳(ke)体(ti)结(jie)构(gou),并(bing)带(dai)有(you)风冷系统(tong),使(shi)得(de)壳(ke)体表面温度小(xiao)于(yu)55℃.内(nei)内(nei)炉(lu)膛(tang)表面涂(tu)有(you)1750℃进(jin)口氧化(hua)铝涂(tu)层(ceng)材(cai)料提高反(fan)射(she)率及炉(lu)膛洁净(jing)度(du) 。真(zhen)空密(mi)封(feng)系(xi)统(tong)有(you)两个(ge)不(bu)锈钢(gang)密(mi)封(feng)法(fa)兰(lan),zui大漏气(qi)率6 mtorr/min。采用双旋(xuan)机(ji)械泵(beng),可(ke)以(yi)过滤真空泵工(gong)作时产生的(de)油烟,减(jian)少泵(beng)油(you)的(de)损(sun)耗(hao),保护环境和人(ren)体(ti)健康(kang),过(guo)滤的zui小(xiao)微粒直(zhi)径(jing)为0.3微(wei)米。极限(xian)真空(kong)度(du)≤6x10-2 Pa or 4x10-4 torr
有四(si)路供(gong)气系统 可以(yi)用(yong)于控制(zhi)一种到四(si)种的(de)气(qi)体流(liu)经真(zhen)空(kong)密封的(de)管式炉,这种(zhong)气(qi)体控制(zhi)系(xi)统安(an)装在(zai)移(yi)动架上,可以(yi)放(fang)在(zai)上(shang)面,气(qi)体(ti)控制系统(tong)的前面(mian)板上(shang)有(you)控制(zhi)并显(xian)示(shi)气体(ti)流(liu)量(liang)的(de)调节阀。它可以(yi)用于(yu)CVD系统及(ji)退火炉,用来(lai)研(yan)究(jiu)气体环境(jing)对(dui)材料(liao)的影(ying)响。
应(ying)用范(fan)围
广(guang)泛适(shi)用于高(gao)、中(zhong)、低(di)温CVD工艺(yi),例如:碳纳(na)米(mi)管(guan)的研制(zhi)、晶体硅(gui)基板镀(du)膜、纳米氧化锌结构的可(ke)控生(sheng)长(zhang)等等(deng);也可适用(yong)于金属材(cai)料的(de)扩(kuo)展焊(han)接以(yi)及(ji)真(zhen)空或(huo)保护(hu)气氛下热(re)处理. 产品特(te)点(dian): 高(gao)温CVD系列(lie)管式(shi)炉专门(men)设计用于(yu)高温材(cai)料沉(chen)积(ji)之(zhi)用。 硅(gui)钼棒加热(re)、刚玉炉(lu)管(guan)炉膛, 可(ke)预抽(chou)真(zhen)空(kong),便(bian)于(yu)通(tong)入参加反(fan)应的(de)气体,进口(kou)单(dan)回路智(zhi)能温度(du)控(kong)制(zhi)仪控(kong)制、温区设(she)计(ji)隔板结(jie)构(gou)。具(ju)有(you)温度(du)均(jun)匀(yun)、控制(zhi)稳定、温(wen)区(qu)间温(wen)度扰(rao)动小(xiao)、升温(wen)速(su)度快(kuai)、节(jie)能(neng)、使(shi)用温(wen)度(du)高、寿(shou)命长(zhang)等(deng)特点(dian),是(shi)理想(xiang)的(de)科研设(she)备。