谈谈CVD系(xi)统的组成与特点

　　CVD系统(tong)设(she)备由(you)沉积温(wen)度控(kong)件(jian)、沉(chen)积(ji)反(fan)应(ying)室、真(zhen)空控制(zhi)部(bu)件和(he)气(qi)源(yuan)控(kong)制备(bei)件(jian)等(deng)部分(fen)组(zu)成(cheng)亦(yi)可(ke)根(gen)据(ju)用户(hu)需要(yao)设计生产，CVD系(xi)统(tong)除(chu)了主要应用在碳纳(na)米(mi)材(cai)料(liao)制备(bei)行(xing)业(ye)外，现(xian)在正在(zai)使用在(zai)许(xu)多行(xing)业(ye)，包括纳(na)米(mi)电子学(xue)、半导体(ti)、光(guang)电(dian)工(gong)程(cheng)的研(yan)发(fa)、涂料等(deng)领域(yu)

　　实验(yan)机理(li)：CVD成(cheng)长系(xi)统(tong)是(shi)利(li)用气(qi)态(tai)化合(he)物(wu)或化合(he)物的混(hun)合物在(zai)基体受(shou)热面(mian)上发生(sheng)化(hua)学反(fan)应(ying)，从而(er)在(zai)基体表面上(shang)生(sheng)成(cheng)不挥发涂层的一(yi)种薄(bao)膜(mo)材(cai)料(liao)制(zhi)备(bei)系(xi)统(tong)

　　CVD系统产(chan)品(pin)的特(te)点：

　　1 CVD系(xi)统兼(jian)容(rong)、常压(ya)、微正压(ya)多种主流的生长(zhang)模式(shi)

　　2 CVD系(xi)统可以(yi)在1000Pa-0.1Pa之间任(ren)意气压(ya)下进行石墨(mo)烯的生(sheng)长(zhang)

　　3 CVD系统(tong)使(shi)用计算机(ji)控制，可以(yi)设(she)置多(duo)种(zhong)生长参数

　　4 CVD系统(tong)可以制备高质(zhi)量(liang)，大(da)面积(ji)石墨烯等碳(tan)材(cai)料(liao)，尺(chi)寸(cun)可达(da)数厘米，研究(jiu)动(dong)力学过程

　　5 CVD系统沉积(ji)效(xiao)率(lv)高(gao);薄(bao)膜的成分可控(kong)，配(pei)比范(fan)围大(da);厚度范(fan)围(wei)广(guang)，由(you)几百埃(ai)至(zhi)数(shu)毫米，可以(yi)实现(xian)厚膜(mo)沉积且(qie)能大(da)量生产(chan)