CVD管式炉(lu)的制备条件说明

　　CVD管(guan)式炉(lu)特(te)点：
 

　　淀(dian)积温度低(di)，薄(bao)膜成份易控(kong)，膜(mo)厚(hou)与(yu)淀(dian)积(ji)时间成(cheng)正(zheng)比，均(jun)匀性(xing)，重(zhong)复性好(hao)，台(tai)阶覆(fu)盖性优(you)良。
 

　　制备(bei)的(de)必(bi)要(yao)条件
 

　　1) 在(zai)沉积温度(du)下，反(fan)应物具(ju)有足够的蒸(zheng)气压(ya)，并能(neng)以适(shi)当(dang)的速(su)度(du)被(bei)引(yin)入反应(ying)室(shi);
 

　　2) 反(fan)应产(chan)物(wu)除了(le)形成固(gu)态(tai)薄(bao)膜(mo)物(wu)质外(wai)，都(dou)必(bi)须(xu)是挥(hui)发性(xing)的(de);
 

　　3) 沉积(ji)薄(bao)膜和(he)基体(ti)材(cai)料(liao)必须具(ju)有(you)足(zu)够低(di)的(de)蒸气压(ya)。
 

　　何(he)为(wei)CVD管(guan)式炉?
 

　　CVD是(shi)Chemical Vapor Deposition的(de)简(jian)称(cheng)，是指(zhi)高(gao)温(wen)下的气相(xiang)反应，例(li)如，金(jin)属(shu)卤化(hua)物(wu)、有(you)机(ji)金属(shu)、碳氢化(hua)合(he)物等(deng)的热(re)分解(jie)，氢还(hai)原(yuan)或(huo)使它(ta)的混合气(qi)体在(zai)高温(wen)下发(fa)生化(hua)学反应以析出(chu)金属(shu)、氧化物、碳(tan)化物(wu)等无机(ji)材料的(de)方(fang)法(fa)。这(zhe)种技(ji)术(shu)zui初(chu)是作(zuo)为涂层的手段(duan)而开发(fa)的(de)，但目前，不只应(ying)用(yong)于(yu)耐(nai)热物(wu)质(zhi)的涂层，而且应(ying)用(yong)于高纯度金(jin)属(shu)的(de)精制、粉末合(he)成(cheng)、半导(dao)体(ti)薄膜(mo)等，是(shi)一(yi)个颇(po)具特(te)征(zheng)的(de)技(ji)术领域。
 

　　其技术(shu)特征在(zai)于(yu)：⑴高熔点(dian)物质(zhi)能够在(zai)低(di)温(wen)下(xia)合(he)成;⑵析(xi)出物质的形(xing)态(tai)在单(dan)晶(jing)、多(duo)晶(jing)、晶须、粉末(mo)、薄(bao)膜(mo)等(deng)多种; ⑶不(bu)仅可(ke)以(yi)在(zai)基(ji)片(pian)上(shang)进行(xing)涂层(ceng)，而(er)且可以在粉(fen)体表面涂层，等。特别(bie)是(shi)在低(di)温(wen)下可(ke)以(yi)合(he)成高(gao)熔点物(wu)质，在(zai)节(jie)能方(fang)面做(zuo)出(chu)了(le)贡献(xian)，作(zuo)为一(yi)种新技术是(shi)大有(you)前途的(de)。
 

　　例(li)如(ru)，在(zai)1000℃左右(you)可以(yi)合成a-Al2O3、SiC，而且(qie)正向更低(di)温(wen)度发(fa)展(zhan)。
 

　　工(gong)艺(yi)大(da)体(ti)分为(wei)二种(zhong)：一种是(shi)使(shi)金属(shu)卤(lu)化物(wu)与含碳、氮(dan)、硼(peng)等的(de)化合物进行(xing)气相(xiang)反应;另一(yi)种是使加热(re)基(ji)体表面的原料(liao)气体(ti)发生热(re)分(fen)解(jie)。
 

　　装(zhuang)置(zhi)由(you)气化(hua)部(bu)分(fen)、载(zai)气(qi)精(jing)练部分、反应部分和排除(chu)气(qi)体处理(li)部(bu)分(fen)所(suo)构(gou)成(cheng)。目(mu)前(qian)，正(zheng)在(zai)开(kai)发批量生(sheng)产的新装置(zhi)。
 

　　CVD管式(shi)炉(lu)是在含有(you)原(yuan)料气(qi)体(ti)、通(tong)过反应产(chan)生(sheng)的副(fu)生气体(ti)、载(zai)气(qi)等多(duo)成(cheng)分系(xi)气相(xiang)中(zhong)进行(xing)的，因(yin)而(er)，当被覆(fu)涂(tu)层时(shi)，在加热基(ji)体与(yu)流体的边(bian)界(jie)上形成扩(kuo)散层(ceng)，该层(ceng)的存在，对(dui)于(yu)涂(tu)层(ceng)的(de)致密度(du)有很大影响(xiang)。这(zhe)样，由许(xu)多(duo)化学(xue)分(fen)子(zi)形成(cheng)的扩散层(ceng)虽然(ran)存在，但其(qi)析出(chu)过程(cheng)是复杂(za)的。粉(fen)体合成时，核的(de)生成与成长的(de)控(kong)制(zhi)是(shi)工艺(yi)的(de)重(zhong)点(dian)。
 

　　作(zuo)为新的(de)CVD技术(shu)，有(you)以(yi)下几(ji)种：
 

　　⑴采(cai)用流动层(ceng)的(de)CVD;
 

　　⑵流(liu)体(ti)床(chuang);
 

　　⑶热解(jie)射流(liu);
 

　　⑷等离(li)子体(ti)CVD;
 

　　⑸真(zhen)空(kong)CVD，等。