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CVD管式(shi)炉系(xi)统(tong)沉(chen)积效率高(gao)
更新时间：2024-03-29 点击(ji)次(ci)数(shu)：5802
CVD管式(shi)炉(lu)广(guang)泛适用于(yu)高(gao)、中(zhong)、低(di)温CVD工(gong)艺，例如(ru)：碳(tan)纳(na)米(mi)管的(de)研(yan)制(zhi)、晶体硅(gui)基板镀(du)膜、纳米(mi)氧化(hua)锌结(jie)构的可(ke)控(kong)生长等等(deng)；也(ye)可适(shi)用于金属(shu)材料(liao)的(de)扩展焊(han)接(jie)以(yi)及真空或(huo)保(bao)护(hu)气(qi)氛下(xia)热(re)处理(li)。专门(men)设(she)计(ji)用于(yu)高(gao)温(wen)材(cai)料(liao)沉(chen)积之用。具(ju)有温(wen)度(du)均(jun)匀(yun)、控(kong)制(zhi)稳(wen)定、温(wen)区(qu)间(jian)温度扰动小(xiao)、升(sheng)温(wen)速(su)度(du)快(kuai)、节能(neng)、使(shi)用(yong)温(wen)度高、寿命(ming)长等特点，是(shi)理想(xiang)的(de)科(ke)研(yan)设(she)备(bei)。
系统设(she)备(bei)由沉(chen)积(ji)温度(du)控(kong)件、沉积(ji)反(fan)应(ying)室、真(zhen)空(kong)控制部件和(he)气源控制备(bei)件(jian)等部(bu)分(fen)组(zu)成亦可(ke)根(gen)据用户(hu)需(xu)要设计生产(chan)，CVD系(xi)统除了(le)主(zhu)要(yao)应(ying)用在碳(tan)纳米(mi)材料制(zhi)备(bei)行(xing)业(ye)外(wai)，现在(zai)正(zheng)在使用在(zai)许多行业(ye)，包括(kuo)纳米电(dian)子(zi)学、半导(dao)体、光(guang)电工(gong)程的研(yan)发(fa)、涂(tu)料(liao)等领(ling)域。CVD成长(zhang)系(xi)统(tong)是利用气(qi)态化合(he)物或(huo)化(hua)合物的混(hun)合物在基(ji)体(ti)受(shou)热面(mian)上(shang)发生(sheng)化学反(fan)应，从(cong)而(er)在(zai)基(ji)体表(biao)面上生成不(bu)挥发涂(tu)层(ceng)的(de)一(yi)种薄(bao)膜材(cai)料制(zhi)备系统。
CVD管式炉系统(tong)产(chan)品的(de)特点有以(yi)下(xia)几点：
1、CVD系统沉(chen)积(ji)效(xiao)率高(gao);薄(bao)膜的(de)成(cheng)分可(ke)控(kong)，配(pei)比范围(wei)大(da);厚度范(fan)围广(guang)，由(you)几百(bai)埃(ai)至(zhi)数毫(hao)米(mi)，可(ke)以(yi)实现(xian)厚膜(mo)沉积且(qie)能(neng)大(da)量生产(chan)；
2、CVD系统(tong)可(ke)以(yi)制备(bei)高质(zhi)量(liang)，大(da)面(mian)积(ji)石(shi)墨(mo)烯等碳材料，尺(chi)寸可(ke)达数厘(li)米(mi)，研究动力(li)学(xue)过程；
3、CVD系统兼容(rong)、常压(ya)、微正(zheng)压多(duo)种(zhong)主流的(de)生(sheng)长模(mo)式；
4、CVD系(xi)统(tong)可以(yi)在1000Pa-0.1Pa之(zhi)间(jian)任意气压(ya)下进行石(shi)墨(mo)烯的(de)生长(zhang)；
5、CVD系统使(shi)用(yong)计(ji)算(suan)机控(kong)制(zhi)，可以(yi)设置多种生(sheng)长参(can)数。
