产(chan)品(pin)用途：此(ci)款CVD系(xi)统是专(zhuan)门为在(zai)金属(shu)箔(bo)上生(sheng)长薄膜(mo)而(er)设计(ji)，特别(bie)是应用(yong)在(zai)新(xin)一代能源(yuan)关于(yu)柔性(xing)金(jin)属箔(bo)电极(ji)方(fang)面(mian)的(de)研究(jiu)，通(tong)过滑(hua)动(dong)炉(lu)实(shi)现(xian)快(kuai)速加热(re)和冷(leng)却。

PECVD系统是借助射频使(shi)含有(you)薄(bao)膜组成(cheng)原(yuan)子(zi)的气体电离，在局部(bu)形成(cheng)等(deng)离(li)子(zi)体(ti)，而等离子体(ti)化(hua)学(xue)活(huo)性(xing)很强(qiang)，很容易(yi)发生(sheng)反(fan)应(ying)，在(zai)基片上沉(chen)积(ji)出所(suo)期望(wang)的(de)薄膜(mo)。集(ji)成型(xing)PECVD系统PECVD-12IH-500A、1200℃小型(xing)PECVD系(xi)统(tong)PECVD-12IH-4Z/G

PECVD系(xi)统(tong)是借助(zhu)射(she)频(pin)使(shi)含(han)有薄膜组(zu)成原子的气(qi)体(ti)电(dian)离，在(zai)局部形成(cheng)等(deng)离(li)子体(ti)，而等离子(zi)体(ti)化(hua)学活性(xing)很强(qiang)，很容易发生反应，在(zai)基(ji)片上沉(chen)积出所(suo)期望的薄(bao)膜(mo)。集(ji)成型(xing)PECVD系(xi)统PECVD-12IH-500A、1200℃小(xiao)型(xing)PECVD系(xi)统(tong)PECVD-12IH-4Z/G

操作便(bian)捷(jie)性(xing)：1、方(fang)便的(de)气(qi)路(lu)快(kuai)速连接(jie)口(kou)，简(jian)化了流量(liang)控制系统与其他设备的链接。2、配置(zhi)有三种接口（宝塔(ta)式接口、双(shuang)卡(ka)套(tao)式接(jie)口、KF接口），方(fang)便组合多(duo)种(zhong)连(lian)接方(fang)式(shi)。

操(cao)作(zuo)便捷性(xing)：1、方(fang)便的(de)气路快(kuai)速连接(jie)口(kou)，简化了(le)流(liu)量控(kong)制系统与其他设备的链接(jie)。2、配置有三(san)种(zhong)接(jie)口(kou)（宝(bao)塔(ta)式接口、双(shuang)卡套(tao)式(shi)接口、KF接(jie)口(kou)），方便(bian)组(zu)合(he)多种(zhong)连接方(fang)式(shi)。