CVD管(guan)式(shi)炉设备(bei)由沉(chen)积(ji)温(wen)度(du)控(kong)件、沉(chen)积(ji)反(fan)应(ying)室、真空控制(zhi)部(bu)件和(he)气源(yuan)控(kong)制(zhi)备件(jian)等部分组成(cheng)亦可根据用户需(xu)要(yao)设(she)计生产(chan)，CVD系(xi)统除了主(zhu)要应(ying)用在碳(tan)纳(na)米(mi)材料(liao)制(zhi)备行业外(wai)，现在(zai)正(zheng)在使(shi)用(yong)在(zai)许(xu)多行(xing)业，包(bao)括纳米电子(zi)学、半导(dao)体、光电(dian)工(gong)程的研发(fa)、涂料(liao)等领域。

PECVD系统(tong)配置(zhi)：1.1200度(du)开启式双温(wen)区(qu)真空(kong)管(guan)式炉(lu)2.等(deng)离子射(she)频(pin)电源(yuan)3.多路质量(liang)流(liu)量(liang)控制系统4.真(zhen)空系统（可选配(pei)中真空或高真(zhen)空）

CVD管式炉(lu)设备由(you)沉积(ji)温度(du)控件(jian)、沉(chen)积反应(ying)室、真空控制部件(jian)和气(qi)源控(kong)制备件(jian)等部(bu)分组(zu)成(cheng)亦(yi)可(ke)根据用(yong)户需(xu)要(yao)设(she)计生(sheng)产，CVD系(xi)统除(chu)了主(zhu)要(yao)应(ying)用(yong)在(zai)碳(tan)纳米材(cai)料(liao)制备行(xing)业外，现(xian)在(zai)正(zheng)在使(shi)用(yong)在许(xu)多(duo)行业(ye)，包(bao)括(kuo)纳(na)米(mi)电(dian)子学、半导体(ti)、光电(dian)工程(cheng)的(de)研(yan)发、涂(tu)料(liao)等领(ling)域(yu)。

PECVD系统(tong)是(shi)借助(zhu)射频(pin)使含有(you)薄膜(mo)组(zu)成原(yuan)子(zi)的气(qi)体(ti)电离(li)，在(zai)局(ju)部(bu)形(xing)成等离子体(ti)，而等(deng)离子体化学(xue)活性(xing)很强，很(hen)容易(yi)发(fa)生(sheng)反(fan)应，在(zai)基片(pian)上沉积(ji)出(chu)所期望(wang)的薄膜(mo)。

产(chan)品(pin)用(yong)途：此款CVD系统(tong)适(shi)用(yong)于CVD工艺，如(ru)碳化硅(gui)镀膜、陶瓷基片(pian)导(dao)电(dian)率(lv)测(ce)试、ZnO纳(na)米(mi)结构(gou)的可(ke)控(kong)生长(zhang)、陶瓷(ci)电(dian)容(rong)（MLCC）气氛烧(shao)结真(zhen)空(kong)淬火(huo)退火(huo)，快速降温(wen)等(deng)工艺实(shi)验(yan)。